Het siliciumnitride keramische substraat heeft talrijke voordelen, zoals hoge sterkte, hoge taaiheid en uitzonderlijke thermische geleidbaarheid (130W/(m-k)). Bovendien komt de thermische expan-sion coëfficiënt sterk overeen met die van Si-, SiC- en GaN-halfgeleiders. Daarom is het siliciumnitride keramische substraat een ideale keuze voor het verpakken van hoogvermogenmodules, waardoor het algemeen wordt beschouwd als de meest geschikte keramische substraatoptie.

Ons bedrijf gebruikt het directe nitridatieproces om hoogzuiver siliciumpoeder te produceren. Met onze unieke gepatenteerde technologie beheersen we het siliciummateriaal, het nitrideringsproces en het raffinageproces om CF-HJ siliciumnitridepoeder te bereiden met een hoge zuiverheid, een hoog A-fasegehalte, een smalle deeltjesgrootteverdeling en uitzonderlijke sinteractiviteit. Dit type siliciumnitridepoeder heeft effectief buitenlandse monopolies beëindigd en kan dienen als een volledig levensvatbaar alternatief voor geïmporteerd siliciumnitridepoeder van hetzelfde kwaliteitsniveau.